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SIHB100N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB100N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB100N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 50 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1851 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 13A, 10V |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 5,35000 | € 5,35 |
| 50 | € 2,82140 | € 141,07 |
| 100 | € 2,57700 | € 257,70 |
| 500 | € 2,14922 | € 1.074,61 |
| 1 000 | € 2,01190 | € 2.011,90 |
| 2 000 | € 1,93565 | € 3.871,30 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 5,35000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 6,42000 |
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