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SIHA21N60EF-E3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIHA21N60EF-E3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHA21N60EF-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 84 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2030 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 35W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 voller Pack |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 176mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | € 5,23000 | Ähnlich |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | € 4,84000 | Ähnlich |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | € 4,39000 | Ähnlich |
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | € 3,71000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,88605 | € 1.886,05 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,88605 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,26326 |


