Name: SIDR668ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.044 EUR
Availability: InStock

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SIDR668ADP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIDR668ADP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIDR668ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR668ADP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 23,3A (Ta), 104A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIDR668ADP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 81 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3750 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8DC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 23,3A (Ta), 104A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIDR668
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,8mOhm bei 20A, 10V