Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.176 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIDR5802EP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR5802EP-T1-RE3
Beschreibung	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIDR5802EP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3020 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8DC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 34,2A (Ta), 153A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIDR5802
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,9mOhm bei 20A, 10V