Name: SIDR402EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR402EP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.924 EUR
Availability: InStock

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SIDR402EP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIDR402EP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIDR402EP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIDR402EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR402EP-T1-RE3
Beschreibung	N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 65,2A (Ta), 291A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,88mOhm bei 20A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 165 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +20V, -16V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9100 pF @ 20 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 65,2A (Ta), 291A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8DC
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8