Name: SIB4316EDK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIB4316EDK-T1-GE3TR-ND
Price: 0.744 EUR
Availability: InStock

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SIB4316EDK-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIB4316EDK-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIB4316EDK-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIB4316EDK-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIB4316EDK-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 4,5A (Ta), 6A (Tc) 1,9W (Ta), 10W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-75-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIB4316EDK-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 57mOhm bei 4A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1,4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±12V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,9W (Ta), 10W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-75-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,5A (Ta), 6A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-75-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)