Name: SIA459EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA459EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.924 EUR
Availability: InStock

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SIA459EDJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA459EDJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA459EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA459EDJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 9 A (Tc) 2,9W (Ta), 15,6W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 885 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,9W (Ta), 15,6W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -50°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SIA459
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 35mOhm bei 5A, 4,5V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)