Name: SIA459EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA459EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

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SIA459EDJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA459EDJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA459EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA459EDJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 9 A (Tc) 2,9W (Ta), 15,6W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35mOhm bei 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	885 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,9W (Ta), 15,6W (Tc)
Betriebstemperatur	-50°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer	SIA459

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)