Name: SIA445EDJT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA445EDJT-T1-GE3TR-ND
Price: 0.912 EUR
Availability: InStock

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SIA445EDJT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA445EDJT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA445EDJT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA445EDJT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA445EDJT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 12 A (Tc) 19W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Single
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 69 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±12V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2180 pF @ 10 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 19W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6 Single
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16,7mOhm bei 7A, 4,5V	Basis-Produktnummer SIA445

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