Name: SIA413DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA413DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: InStock

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SIA413DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA413DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA413DJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA413DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA413DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1800 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SIA413
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 29mOhm bei 6,7A, 4,5V