Name: SI9926CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9926CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.028 EUR
Availability: InStock

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SI9926CDY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI9926CDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI9926CDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI9926CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI9926CDY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 8A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 8,3A, 4,5V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1200pF bei 10V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 3,1W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8A	Basis-Produktnummer SI9926