Name: SI8817DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8817DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.792 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI8817DB-T2-E1
DigiKey-Teilenr.	SI8817DB-T2-E1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI8817DB-T2-E1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI8817DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI8817DB-T2-E1
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 2,1 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage 4-Microfoot
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 19 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 615 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-Microfoot
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,1 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 4-XFBGA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI8817
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 76mOhm bei 1A, 4,5V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 2 529

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)