Name: SI8812DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8812DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.816 EUR
Availability: InStock

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SI8812DB-T2-E1
DigiKey-Teilenr.	SI8812DB-T2-E1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI8812DB-T2-E1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI8812DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI8812DB-T2-E1
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 2,3 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage 4-Microfoot
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI8812DB-T2-E1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 59mOhm bei 1A, 4,5V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 8 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±5V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-Microfoot
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,3 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 4-UFBGA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,2V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI8812

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)