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SI7923DN-T1-E3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Ähnlich
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SI7923DN-T1-E3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SI7923DN-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7923DN-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7923DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SI7923DN-T1-E3 |
Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 4,3A 1,3W Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SI7923DN-T1-E3 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 47mOhm bei 6,4A, 10V |
Hersteller Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21nC bei 10V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Leistung - Max. 1,3W |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Konfiguration 2 P-Kanal (zweifach) | Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8 Dual |
FET-Merkmal Logikpegel-Gate | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8 Dual |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V | Basis-Produktnummer |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,3A |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| UT6JA2TCR | Rohm Semiconductor | 4 617 | UT6JA2TCRCT-ND | € 1,10000 | Ähnlich |
Obsolet
