Name: SI7852DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7852DP-T1-E3TR-ND
Price: 4.296 EUR
Availability: InStock

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SI7852DP-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI7852DP-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7852DP-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7852DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7852DP-T1-E3
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 7,6 A (Ta) 1,9W (Ta) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7852DP-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16,5mOhm bei 10A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA (Min)
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 41 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,9W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7,6 A (Ta)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer SI7852