Name: SI7846DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7846DP-T1-E3TR-ND
Price: 3.96 EUR
Availability: InStock

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SI7846DP-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI7846DP-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7846DP-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7846DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7846DP-T1-E3
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 4 A (Ta) 1,9W (Ta) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7846DP-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 5A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 36 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,9W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Ta)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SI7846