Name: SI7613DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7613DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.764 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7613DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7613DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7613DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7613DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7613DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 35 A (Tc) 3,8W (Ta), 52,1W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7613DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 87 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2620 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 52,1W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -50°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI7613
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,7mOhm bei 17A, 10V