Name: SI7469DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7469DP-T1-E3TR-ND
Price: 3.684 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7469DP-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI7469DP-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7469DP-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7469DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7469DP-T1-E3
Beschreibung	MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	11 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 80 V 28 A (Tc) 5,2W (Ta), 83,3W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7469DP-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 160 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4700 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 5,2W (Ta), 83,3W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 28 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI7469
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 10,2A, 10V