Name: SI7430DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7430DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.26 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7430DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7430DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7430DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7430DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7430DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 26 A (Tc) 5,2W (Ta), 64W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1735 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 5,2W (Ta), 64W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 26 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 45mOhm bei 5A, 10V	Basis-Produktnummer SI7430