Name: SI7252DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7252DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.156 EUR
Availability: InStock

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SI7252DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7252DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 36,7A 46W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7252DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 15A, 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 27nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1170pF bei 50V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 46W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 36,7A	Basis-Produktnummer SI7252