Name: SI6423DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6423DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 2.724 EUR
Availability: InStock

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SI6423DQ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI6423DQ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI6423DQ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI6423DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI6423DQ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 8,2 A (Ta) 1,05W (Ta) Oberflächenmontage 8-TSSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI6423DQ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,5mOhm bei 9,5A, 4,5V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 800mV bei 400µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±8V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 1,05W (Ta)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSSOP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8,2 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 8-TSSOP (0,173", 4,40mm Breite)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI6423