SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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Direkter Ersatz

Vishay Siliconix

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SIA418DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA418DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA418DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 570 pF @ 15 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIA418
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 9A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SIA462DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	10 067	SIA462DJ-T1-GE3CT-ND	€ 0,60000	Direkter Ersatz

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