SI5406CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

SI5406CDC-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Vishay Siliconix

Vorrätig: 1 235

Stückpreis : € 1,69000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI5406CDC-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI5406CDC-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI5406CDC-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 12 V 6 A (Tc) 2,3W (Ta), 5,7W (Tc) Oberflächenmontage 1206-8 ChipFET™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 6 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 2,3W (Ta), 5,7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 1206-8 ChipFET™
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-SMD, flache Anschlüsse
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI5406
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 20mOhm bei 6,5A, 4,5V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SI5418DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	1 235	SI5418DU-T1-GE3CT-ND	€ 1,69000	Ähnlich

Obsolet

Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.

SI5406CDC-T1-GE3