SI4922BDY-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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MOSFETs - Arrays 30V 8A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4922BDY-T1-GE3

DigiKey-Teilenr.
SI4922BDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
SI4922BDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
SI4922BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI4922BDY-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 8A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
1,8V bei 250µA
Hersteller
Vishay Siliconix
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
62nC bei 10V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2070pF bei 15V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Leistung - Max.
3,1W
Status der Komponente
Obsolet
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8A
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16mOhm bei 5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Ersatzartikel (10)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Obsolet
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