Name: SI4909DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4909DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.716 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4909DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4909DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4909DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4909DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4909DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 8A 3,2W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4909DY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 27mOhm bei 8A, 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 63nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2000pF bei 20V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 3,2W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 P-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8A	Basis-Produktnummer SI4909

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 10 803

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)