SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix | FET- und MOSFET-Arrays

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SI4900DY-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI4900DY-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4900DY-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4900DY-T1-E3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 5,3A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4900DY-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 58mOhm bei 4,3A, 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 665pF bei 15V
Status der Komponente Obsolet	Leistung - Max. 3,1W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,3A	Basis-Produktnummer SI4900

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Ersatzartikel (9)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SI9634DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND	€ 1,20000	Vom Hersteller empfohlen
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