Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 2.58 EUR
Availability: InStock

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SI4816BDY-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4816BDY-T1-E3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4816BDY-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18,5mOhm bei 6,8A, 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Serie LITTLE FOOT®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10nC bei 5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 1W, 1,25W
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Basis-Produktnummer SI4816
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,8 A, 8,2 A