SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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SI4800BDY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4800BDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4800BDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4800BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4800BDY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 6,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18,5mOhm bei 9A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1,8V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±25V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 1,3W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6,5 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI4800

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Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SI4178DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	6 705	SI4178DY-T1-GE3CT-ND	€ 0,92000	Vom Hersteller empfohlen
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