Name: SI4599DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4599DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.332 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4599DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4599DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4599DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4599DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 6,8 A, 5,8 A 3W, 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4599DY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,8 A, 5,8 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35,5mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	640pF bei 20V
Leistung - Max.	3W, 3,1W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	SI4599