Name: SI4564DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4564DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.112 EUR
Availability: InStock

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SI4564DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4564DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4564DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 10 A, 9,2 A 3,1W, 3,2W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4564DY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 17,5mOhm bei 8A, 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 31nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 855pF bei 20V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 3,1W, 3,2W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration N- und P-Kanal	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A, 9,2 A	Basis-Produktnummer SI4564