Name: SI3410DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3410DV-T1-GE3TR-ND
Price: 1.32 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI3410DV-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI3410DV-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI3410DV-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI3410DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI3410DV-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,1W (Tc) Oberflächenmontage 6-TSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI3410DV-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1295 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 4,1W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8 A (Tc)	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI3410
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 19,5mOhm bei 5A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 7 298

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)