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P-Kanal 12 V 3,2 A (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
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SI2335DS-T1-GE3

DigiKey-Teilenr.
SI2335DS-T1-GE3-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI2335DS-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 12 V 3,2 A (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
450mV bei 250µA (Min)
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 4.5 V
Serie
Vgs (Max.)
±8V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1225 pF @ 6 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1,8V, 4,5V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
51mOhm bei 4A, 4,5V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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