SI2319DS-T1-BE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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Goford Semiconductor

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SI2319DS-T1-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI2319DS-T1-BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI2319DS-T1-BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI2319DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2319DS-T1-BE3
Beschreibung	P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 2,3 A (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 470 pF @ 20 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,3 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 82mOhm bei 3A, 10V