Name: SI2318HDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2318HDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.444 EUR
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SI2318HDS-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI2318HDS-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI2318HDS-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI2318HDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2318HDS-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	45 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 4,3A (Ta), 5,6A (Tc) 1,25W (Ta), 2,1W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 42mOhm bei 4,3A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 340 pF @ 20 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,3A (Ta), 5,6A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SI2318CDS-T1-BE3	Vishay Siliconix	0	742-SI2318CDS-T1-BE3CT-ND	€ 0,44000	Parametrisches Äquivalent

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