SI1032R-T1-GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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Vishay Siliconix

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SI1032R-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1032R-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1032R-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1032R-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1032R-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Oberflächenmontage SC-75A
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI1032R-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5Ohm bei 200mA, 4,5V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0.75 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±6V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 250mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-75A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 140mA (Ta)	Gehäuse / Hülle SC-75, SOT-416
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI1032