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SI1026X-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Ähnlich
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SI1026X-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SI1026X-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1026X-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1026X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SI1026X-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 60V 305mA 250mW Oberflächenmontage SC-89 (SOT-563F) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SI1026X-T1-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | - | |
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Obsolet | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (zweifach) | |
FET-Merkmal | Logikpegel-Gate | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 305mA | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,4Ohm bei 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 0,6nC bei 4,5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 30pF bei 25V | |
Leistung - Max. | 250mW | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | SOT-563, SOT-666 | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | SC-89 (SOT-563F) | |
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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