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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MXP120A250FW-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-MXP120A250FW-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | MXP120A250FW-GE3 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 10,5 A (Tc) 56W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3L |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 313mOhm bei 4A, 20V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 3,1V bei 10mA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20.3 nC @ 18 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +22V, -10V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 447 pF @ 800 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 56W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3L |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V, 20V | Gehäuse / Hülle |
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