Parametrisches Äquivalent
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Ähnlich
Ähnlich

IRLR110 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRLR110-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRLR110 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 4,3 A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage DPAK |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRLR110 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4V, 5V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 540mOhm bei 2,6A, 5V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 6.1 nC @ 5 V | |
Vgs (Max.) | ±10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 250 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 2,5W (Ta), 25W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | DPAK | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |





