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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRLD024PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRLD024PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRLD024PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 2,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Durchkontaktierung 4-HVMDIP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRLD024PBF Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 18 nC @ 5 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±10V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 870 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 1,3W (Ta) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten 4-HVMDIP |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 5V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 1,5A, 5V | Basis-Produktnummer |
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