SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRL640PBF

DigiKey-Teilenr.
IRL640PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRL640PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 17 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRL640PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 10A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
66 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1800 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,76000€ 2,76
50€ 1,38060€ 69,03
100€ 1,24640€ 124,64
500€ 1,01116€ 505,58
1 000€ 0,93556€ 935,56
2 000€ 0,87203€ 1.744,06
5 000€ 0,86370€ 4.318,50
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