Name: IRFSL11N50APBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFSL11N50APBF-ND
Price: 4.74 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 500 V 11 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-262-3

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IRFSL11N50APBF
DigiKey-Teilenr.	IRFSL11N50APBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRFSL11N50APBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 11 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-262-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	550mOhm bei 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1426 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-262-3
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer	IRFSL11

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100	€ 1,85040	€ 185,04
500	€ 1,52578	€ 762,89
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