N-Kanal 500 V 3,1 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IRFI830GPBF

DigiKey-Teilenr.
IRFI830GPBF-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
IRFI830GPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 3,1 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
610 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 Full Pack, isolierte Fahne
Basis-Produktnummer
IRFI830
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