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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRFD9120PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRFD9120PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFD9120PBF |
Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 100 V 1 A (Ta) 1,3W (Ta) Durchkontaktierung 4-HVMDIP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRFD9120PBF Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 600mOhm bei 600mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 390 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 1,3W (Ta) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 4-HVMDIP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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