P-Kanal 50 V 1,1 A (Tc) 1W (Tc) Durchkontaktierung 4-HVMDIP
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IRFD9010PBF

DigiKey-Teilenr.
IRFD9010PBF-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
IRFD9010PBF
Beschreibung
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 50 V 1,1 A (Tc) 1W (Tc) Durchkontaktierung 4-HVMDIP
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
50 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
500mOhm bei 580mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
240 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-HVMDIP
Gehäuse / Hülle
4-DIP (0,300", 7,62mm)
Basis-Produktnummer
IRFD9010
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Obsolet
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