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Vishay Siliconix
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Datenblatt
N-Kanal 60 V 2,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Durchkontaktierung 4-HVMDIP
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IRFD024

DigiKey-Teilenr.
IRFD024-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFD024
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 2,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Durchkontaktierung 4-HVMDIP
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
IRFD024 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
640 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-HVMDIP
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Manufacturer Quote Required
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