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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRFBE30PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRFBE30PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFBE30PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 37 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRFBE30PBF Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 78 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1300 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 125W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3Ohm bei 2,5A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 4,26000 | € 4,26 |
| 50 | € 2,19600 | € 109,80 |
| 100 | € 1,99680 | € 199,68 |
| 500 | € 1,64766 | € 823,83 |
| 1 000 | € 1,53555 | € 1.535,55 |
| 2 000 | € 1,44133 | € 2.882,66 |
| 5 000 | € 1,41952 | € 7.097,60 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 4,26000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 5,11200 |
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