Parametrisches Äquivalent
Direkter Ersatz
Ähnlich

IRF9Z20 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF9Z20-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF9Z20 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 50 V 9,7 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF9Z20 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 280mOhm bei 5,6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 26 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 480 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |




