Name: VS-3C20ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C20ET12S2L-M3TR-ND
Price: 10.536 EUR
Availability: InStock

Dioden 1200 V 20A Oberflächenmontage TO-263AB (D2PAK)

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VS-3C20ET12S2L-M3
DigiKey-Teilenr.	112-VS-3C20ET12S2L-M3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 112-VS-3C20ET12S2L-M3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 112-VS-3C20ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-3C20ET12S2L-M3
Beschreibung	DIODE SIL CARB 1200V 20A TO263AB
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 1200 V 20A Oberflächenmontage TO-263AB (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden	Geschwindigkeit Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Herst. Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Umkehrerholungszeit (trr) 0 ns
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Strom - Sperrleckstrom bei Vr 110 µA @ 1200 V
Status der Komponente Aktiv	Kapazität bei Vr, F 73pF bei 800V, 1MHz
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 1200 V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) 20A	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263AB (D2PAK)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1.5 V @ 20 A	Betriebstemperatur - Übergang -55°C bis 175°C