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US1BHE3_A/I | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | US1BHE3_A/I-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | US1BHE3_A/I |
Beschreibung | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Standardlieferzeit des Herstellers | 10 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Dioden 100 V 1A Oberflächenmontage DO-214AC (SMA) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Strom - Sperrleckstrom bei Vr 10 µA @ 100 V |
Herst. | Kapazität bei Vr, F 15pF bei 4V, 1MHz |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) | Klasse Automobiltechnik |
Status der Komponente Aktiv | Qualifizierung AEC-Q101 |
Technologie | Montagetyp |
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 100 V | Gehäuse / Hülle |
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) 1A | Gehäusetyp vom Lieferanten DO-214AC (SMA) |
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1 V @ 1 A | Betriebstemperatur - Übergang -55°C bis 150°C |
Geschwindigkeit Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io) | Basis-Produktnummer |
Umkehrerholungszeit (trr) 50 ns |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| US1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1B-E3/5ATGICT-ND | € 0,08393 | Parametrisches Äquivalent |
| US1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 808 | US1B-E3/61TGICT-ND | € 0,55000 | Parametrisches Äquivalent |
| US1B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1B-M3/61T-ND | € 0,11531 | Parametrisches Äquivalent |
| US1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1BHE3_A/H-ND | € 0,12376 | Parametrisches Äquivalent |
| EGF1B | onsemi | 135 649 | EGF1BCT-ND | € 0,97000 | Upgrade |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 7 500 | € 0,11272 | € 845,40 |
| 15 000 | € 0,10399 | € 1.559,85 |
| 22 500 | € 0,09955 | € 2.239,88 |
| 37 500 | € 0,09456 | € 3.546,00 |
| 52 500 | € 0,09328 | € 4.897,20 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,11272 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,13526 |




