Parametrisches Äquivalent
Parametrisches Äquivalent
Parametrisches Äquivalent
Parametrisches Äquivalent
Parametrisches Äquivalent



S3B-M3/9AT | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | S3B-M3/9AT-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S3B-M3/9AT |
Beschreibung | DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 10 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Dioden 100 V 3A Oberflächenmontage DO-214AB (SMC) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Umkehrerholungszeit (trr) 2.5 µs |
Herst. | Strom - Sperrleckstrom bei Vr 10 µA @ 100 V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) | Kapazität bei Vr, F 60pF bei 4V, 1MHz |
Status der Komponente Aktiv | Montagetyp |
Technologie | Gehäuse / Hülle |
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten DO-214AB (SMC) |
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) 3A | Betriebstemperatur - Übergang -55°C bis 150°C |
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1.15 V @ 2.5 A | Basis-Produktnummer |
Geschwindigkeit Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io) |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| S3B-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 483 | S3B-E3/57TGICT-ND | € 0,65000 | Parametrisches Äquivalent |
| S3B-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3B-E3/9AT-ND | € 0,13665 | Parametrisches Äquivalent |
| S3B-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3B-M3/57T-ND | € 0,15630 | Parametrisches Äquivalent |
| S3BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 130 | S3BHE3_A/HGICT-ND | € 0,82000 | Parametrisches Äquivalent |
| S3BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3BHE3_A/I-ND | € 0,18163 | Parametrisches Äquivalent |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10 500 | € 0,15092 | € 1.584,66 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,15092 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,18110 |


