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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Datenblatt
Dioden - Zener 9.1 V 800 mW Oberflächenmontage DO-219AB (SMF)
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Dioden - Zener 9.1 V 800 mW Oberflächenmontage DO-219AB (SMF)
DO-219AB SFM

BZD27C9V1P-HE3-18

DigiKey-Teilenr.
BZD27C9V1P-HE3-18-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BZD27C9V1P-HE3-18
Beschreibung
DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden - Zener 9.1 V 800 mW Oberflächenmontage DO-219AB (SMF)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 200 mA
Herst.
Betriebstemperatur
-65°C bis 175°C
Serie
Klasse
Automobiltechnik
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Qualifizierung
AEC-Q101
Status der Komponente
Obsolet
Montagetyp
Oberflächenmontage
Spannung - Zener (Vz) (nom.)
Gehäuse / Hülle
Leistung - Max.
800 mW
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-219AB (SMF)
Impedanz (max.) (Zzt)
4 Ohms
Basis-Produktnummer
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 µA @ 5 V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
BZD27C9V1P-HE3_A18Vishay General Semiconductor - Diodes Division0112-BZD27C9V1P-HE3_A18TR-ND€ 0,09880Vom Hersteller empfohlen
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